IS43DR86400E-25DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Deutsch
Artikelnummer: | IS43DR86400E-25DBLI |
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Hersteller / Marke: | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) |
Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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242+ | $5.6424 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Supplier Device-Gehäuse | 60-TWBGA (8x10.5) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 60-TFBGA |
Paket | Tray |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 512Mbit |
Speicherorganisation | 64M x 8 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 400 MHz |
Grundproduktnummer | IS43DR86400 |
Zugriffszeit | 400 ps |
IS43DR86400E-25DBLI Einzelheiten PDF [English] | IS43DR86400E-25DBLI PDF - EN.pdf |
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
ISSI BGA
INTERSIL TQFN16
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IS43DR86400E-25DBLIISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
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